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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
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產(chǎn)品分類混合系列光電二極管探測(cè)器放大器 Photop™系列 350nm-1100nm/200nm-1100nm采用集成封裝,確保在各種工作條件下的低噪聲輸出。這些運(yùn)算放大器是OSI光電工程師為兼容我們的光電二極管而專門選擇的。
中紅外量子級(jí)聯(lián)超快光電探測(cè)器 產(chǎn)品總覽 這是一款超快中紅外光電探測(cè)器,響應(yīng)帶寬超過20GHz (-3 dB)。它無(wú)偏壓工作,不需要冷卻,因此不需要外部電源。安裝過程只需兩個(gè)簡(jiǎn)單步驟:將SMA裝置連接到測(cè)量?jī)x器(示波器等),并將入射光定向到內(nèi)部聚焦透鏡。
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測(cè)器是非制冷光伏探測(cè)器,基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu),集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能夠在空間有限的長(zhǎng)波紅外測(cè)量系統(tǒng)中進(jìn)行組裝。
便于客戶供電即用,探測(cè)器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測(cè)器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導(dǎo)體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管(10mm)近紅外波長(zhǎng)
APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。 銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測(cè)接收模塊